| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT323 |
7906200 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiSC-70,SOT-323 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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ONSEMICONDU原封装 |
30000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SC-70 |
3022 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-323 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市欧亚佳电子有限公司6年
留言
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ONSMD |
11520 |
20+ |
特价全新原装公司现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-323 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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ONSEMINA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美SC-70-3 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SMD |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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ON/安森美SMD |
21000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司11年
留言
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ONSOT323-3 |
64580 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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onsemiSC-70-3(SOT323) |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-323 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiSC-70,SOT-323 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
MSD42SWT1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MSD42SWT1图片
MSD42SWT1G价格
MSD42SWT1G价格：￥0.1605品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的MSD42SWT1G多少钱，想知道MSD42SWT1G价格是多少？参考价：￥0.1605。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MSD42SWT1G批发价格及采购报价，MSD42SWT1G销售排行榜及行情走势，MSD42SWT1G报价。
MSD42SWT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多MSD42SWT1功能描述:两极晶体管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MSD42SWT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MSD42SWT1G_10制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor
产品属性
- 产品编号：
MSD42SWT1
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 2mA，200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1mA，10V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
- 描述：
TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
