选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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APTTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
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APT |
144 |
23+ |
现货供应 |
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MS652S图片
MS652S中文资料Alldatasheet PDF
更多MS652S制造商:Microsemi Corporation 功能描述:LDMOS TRANSISTOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS BIPO NPN M123 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
产品属性
- 产品编号:
MS652S
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
16V
- 频率 - 跃迁:
450MHz ~ 512MHz
- 增益:
10dB
- 功率 - 最大值:
25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 200mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
2A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
M123
- 供应商器件封装:
M123
- 描述:
RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123