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BD545YT	文件：51.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200Volts CURRENT5Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •Foruseinl	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD-A545RD	文件：180.99 Kbytes Page：3 Pages	brightredchips,whicharemadefromGaPonGaPsubstrate	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
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BF545A	文件：100.11 Kbytes Page：12 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage(max.2.2VforBF545A). APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesandinfra-	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF545A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF545B	文件：100.11 Kbytes Page：12 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage(max.2.2VforBF545A). APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesandinfra-	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF545B	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF545C	文件：100.11 Kbytes Page：12 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage(max.2.2VforBF545A). APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesandinfra-	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF545C	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF545	文件：94.9 Kbytes Page：12 Pages	UHFpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOSpush-pulltransistordesignedforcommunicationstransmitterapplicationsintheUHFfrequencyrange. Thetransistorisencapsulatedina4-lead,SOT268balancedflangeenvelope,withtwoceramiccaps.Themountingflangeprovidesthe	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS-A545RD	文件：189.12 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
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BS-C545RD	文件：161.05 Kbytes Page：3 Pages	13.2mm(0.52)highsingledigitsegmentsdisplay	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT

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产品属性

产品编号：
MS545JVN
制造商：
Apex Tool Group
类别：
工具 > 钢丝钳
系列：
Weller® Xcelite®
包装：
散装
类型：
侧面（对角）
形状：
锥形
切边：
凹槽
长度 - 总体：
4.00"（101.6mm）
描述：
CUTTER SIDE TAPERED FLUSH 4\

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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