选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
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FREESCALESMD |
1680 |
2018+ |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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NXP-恩智浦I-780 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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FREESNI-780 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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NXPNI780 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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NXP USA Inc.SOT-957A |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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NXPNI780 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
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NXPUSAInc.NI-780 |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
MRF8S21120HR3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MRF8S21120HR3图片
MRF8S21120HR3中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF8S21120HR3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
产品属性
- 产品编号:
MRF8S21120HR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.17GHz
- 增益:
17.6dB
- 功率 - 输出:
28W
- 封装/外壳:
SOT-957A
- 供应商器件封装:
NI-780H-2L
- 描述:
FET RF 65V 2.17GHZ NI780H