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MRF8P8300HSR6

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforW--CDMAandLTEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom790to820MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle--CarrierW--

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飞思卡尔

MRF8P8300HSR6

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAandLTEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom750to820MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle--CarrierW--C

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MRF8P8300HSR6

包装:散装 封装/外壳:NI-1230S 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    MRF8P8300HSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    820MHz

  • 增益:

    20.9dB

  • 功率 - 输出:

    96W

  • 封装/外壳:

    NI-1230S

  • 供应商器件封装:

    NI-1230S

  • 描述:

    FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S

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更多MRF8P8300HSR6供应商 更新时间2024-6-6 16:04:00