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MRF8P20161HSR3 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 NXP/恩智浦
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原厂料号:MRF8P20161HSR3品牌:NXP USA Inc.
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MRF8P20161HSR3是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商NXP USA Inc.生产封装NI-780S-4L的MRF8P20161HSR3晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 类型
描述
- 产品编号:
MRF8P20161HSR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
1.92GHz
- 增益:
16.4dB
- 功率 - 输出:
37W
- 封装/外壳:
NI-780S-4L
- 供应商器件封装:
NI-780S-4L
- 描述:
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ NI-780S
供应商
- 企业:
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李先生/许小姐
- 手机:
13717125871/13530520535
- 询价:
- 电话:
0755-83201583/83214703
- 传真:
0755-22669259
- 地址:
深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋620室
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