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MRF7S21170HSR3	文件：470.22 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABandClassCforPCN-PCS/cellularradioandWLLappl	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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MRF7S21170HSR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-880S 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

更多MRF7S21170HSR供应商更新时间2024-5-6 15:48:00