选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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NXP晶体管 |
660 |
17+ |
“芯达集团”专营军工、宇航级IC原装进口现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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FREESCALENI-880S |
6900 |
2138+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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FREESCALENI-880S |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
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FREESCALE货真价实,假一罚十 |
25000 |
NI-880 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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FREESCALESMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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FREESCALEQFN |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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FREESCALENI-880S |
1000 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
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FREESCALE模块 |
3000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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FREESCALENI-880S |
305 |
0820+ |
假一赔万只做原装现货实单可谈 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
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FREESCALENI-880S |
539 |
0820+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
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FREESCALENI-880 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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FREESCALESMD |
1680 |
2018+ |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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NXPNI880S |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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FREESCANI-880 |
36520 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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Freescale |
77 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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FREESCALENA |
9890 |
2122+ |
全新原装进口,优势渠道,价格美丽,可出样品来电咨询 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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NXP-恩智浦TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
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NA |
85493 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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FSLSMD |
2789 |
22+ |
全新原装自家现货!价格优势! |
MRF7S21170采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MRF7S21170图片
MRF7S21170HSR3中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF7S21170HR3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21170HR3_07制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S21170HR3_08制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21170HR3_11制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF7S21170HR3_12制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21170HR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21170HS功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷(TR) 产品目录页面:1558(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF7S21170HSR3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.1GHZ HV7 WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21170HSR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.1GHZ HV7 WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray