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MRF6S21100NR1 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 NXP/恩智浦

MRF6S21100NR1参考图片

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  • 厂家型号:

    MRF6S21100NR1

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    NXP/恩智浦

  • 库存数量:

    2368

  • 产品封装:

    车规-晶体管

  • 生产批号:

    24+25+/26+27+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-4-28 16:16:00

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原厂料号:MRF6S21100NR1品牌:NXP-恩智浦

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MRF6S21100NR1是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商NXP-恩智浦/NXP USA Inc.生产封装车规-晶体管/TO-270AB的MRF6S21100NR1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    MRF6S21100NR1

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    FREESCALE【飞思卡尔】详情

  • 厂商全称:

    Freescaleiscreatingasmarter

  • 中文名称:

    飞思卡尔

  • 内容页数:

    20 页

  • 文件大小:

    933.58 kb

  • 资料说明:

    RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MRF6S21100NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.11GHz ~ 2.16GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 输出:

    23W

  • 封装/外壳:

    TO-270AB

  • 供应商器件封装:

    TO-270 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4

供应商

  • 企业:

    深圳市惊羽科技有限公司

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