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MRF6S21100NBR1	文件：856.79 Kbytes Page：18 Pages	RF Power Field Effect Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6S21100NBR1	文件：933.58 Kbytes Page：20 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6S21100NBR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-272BB 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

产品属性

产品编号：
MRF6S21100NBR1
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.11GHz ~ 2.16GHz
增益：
14.5dB
功率 - 输出：
23W
封装/外壳：
TO-272BB
供应商器件封装：
TO-272 WB-4
描述：
FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4

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更多MRF6S21100NB供应商更新时间2024-4-28 15:30:00

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