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MRF5S9070NR1中文资料PDF规格书

MRF5S9070NR1
厂商型号

MRF5S9070NR1

参数属性

MRF5S9070NR1 封装/外壳为TO-270AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 68V 880MHZ TO-270-2

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件大小

550.72 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Freescaleiscreatingasmarter
企业简称

freescale飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-2 22:59:00

MRF5S9070NR1规格书详情

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common-source amplifier applications in 26 volt base station equipment.

• Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz, VDD = 26 Volts,

IDQ = 600 mA, Pout = 14 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,

Traffic Codes 8 Through 13)

Power Gain — 17.8 dB

Drain Efficiency — 30

ACPR @ 750 kHz Offset — -47 dBc in 30 kHz Bandwidth

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 70 Watts CW

Output Power

Features

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Integrated ESD Protection

• 200°C Capable Plastic Package

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

产品属性

  • 产品编号:

    MRF5S9070NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    880MHz

  • 增益:

    17.8dB

  • 功率 - 输出:

    14W

  • 封装/外壳:

    TO-270AA

  • 供应商器件封装:

    TO-270-2

  • 描述:

    FET RF 68V 880MHZ TO-270-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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