MRF581AG分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF581AG |
| 参数属性 | MRF581AG 封装/外壳为Macro-X；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 文件大小 |
162.77 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Microsemi Corporation |
| 企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名称 | 美高森美公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-1 18:33:00 |
MRF581AG规格书详情
MRF581AG属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。美高森美公司制造生产的MRF581AG晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号：
MRF581AG
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
- 频率 - 跃迁：
5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益：
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值：
1.25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
Macro-X
- 供应商器件封装：
Macro-X
- 描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X
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