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MRF4427R2分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MRF4427R2
厂商型号

MRF4427R2

参数属性

MRF4427R2 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 20V 8SO

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
RF TRANS NPN 20V 8SO

文件大小

171.29 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-30 8:30:00

MRF4427R2规格书详情

DESCRIPTION: Designed for general-purpose RF amplifier applications, such as; pre-drivers, Oscillators, etc.

Features

• Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.

• S-Parameter Characterization

• Tape and Reel Packaging Options Available

• Low Voltage Version of MRF3866

• Maximum Available Gain – 20dB(typ) @ 200MHz

MRF4427R2属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。美高森美公司制造生产的MRF4427R2晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    MRF4427R2

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    20V

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 最大值:

    1.5W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 10mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    400mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 8SO

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