MRF085H分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF085H |
| 参数属性 | MRF085H 封装/外壳为NI-650H-4L；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：RF MOSFET LDMOS 50V NI-650H-4L |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
| 文件大小 |
377.67 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-24 18:00:00 |
MRF085H规格书详情
MRF085H属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的MRF085H晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
MRF085HR5
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
1.8MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
25.6dB
- 额定电流（安培）：
7µA
- 功率 - 输出：
85W
- 封装/外壳：
NI-650H-4L
- 供应商器件封装：
NI-650H-4L
- 描述：
RF MOSFET LDMOS 50V NI-650H-4L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
2022+ |
NI-650H-4 |
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