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MPS6601RLRA

Amplifier Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MPS6601RLRA

包装:带盒(TB) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 25V 1A TO92

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MPS6601RLRAG

Amplifier Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MPS6601RLRAG

Amplifier Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MPS6601RLRAG

包装:剪切带(CT)带盒(TB) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 25V 1A TO92

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

6601

ComfortProbewithRemovable4mmBananaPlugAdapter

POMONA

Pomona Electronics

ADRF6601

1200MHzto3600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

ADRF6601

750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

ADRF6601-EVALZ

750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AN-6601

LowNoiseJFETAmplifiers

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

AO6601

30VComplementaryMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO6601

ComplementaryTrenchMOSFET

■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

AO6601

N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

AO6601

ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO6601

NPChannelMOSFET

Features N-Ch: *VDS(V)=30V *ID=3.4A(VGS=10V) *RDS(ON)60m(VGS=10V) *RDS(ON)70m(VGS=4.5V) *RDS(ON)90m(VGS=2.5V) P-Ch: *VDS(V)=-30V *ID=-2.3A(VGS=-10V) *RDS(ON)115m(VGS=-10V) *RDS(ON)150m(VGS=-4.5V) *RDS(ON)200m(VGS=-2.5V)

UMWUMW

友台友台半导体

AO6601-HF

ComplementaryTrenchMOSFET

■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

AO6601L

ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AWU6601

HELP3TMBand1/WCDMA/TD-SCDMA3.4V/28.25dBmLinearPAModule

ANADIGICS

ANADIGICS

CEB6601

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-60V,-19A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CEB6601

P-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MPS6601RLRA

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 1A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMICONDU
16+
原装进口原厂原包接受订货
8000
原装现货假一罚十
询价
ON Semiconductor
2022+
TO-92-3
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
onsemi
24+
TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
询价
5000
公司存货
询价
MOT
05+
原厂原装
16051
只做全新原装真实现货供应
询价
MOTOROLA/摩托罗拉
23+
TO-92
90000
原装原盘
询价
TO-92
2020+
MOT
1000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
ON/安森美
23+
TO-92
15000
全新原装现货,价格优势
询价
ON/安森美
TO-92-GP
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
ONN
1535+
35000
询价
更多MPS6601RLRA供应商 更新时间2024-5-30 13:30:00