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SGA8343Z	文件：1.09463 Mbytes Page：13 Pages	LOWNOISE,HIGHGAINSiGeHBT	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SGA8343Z	文件：790.7 Kbytes Page：12 Pages	HeterostructureBipolarTransistor	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
SGA-8343Z	文件：96.41 Kbytes Page：4 Pages	LowNoise,HighGainSiGeHBT ProductDescription SirenzaMicrodevices’SGA-8343isahighperformanceSiliconGermaniumHeterostructureBipolarTransistor(SiGeHBT)designedforoperationfromDCto6GHz.TheSGA-8343isoptimizedfor3Voperationbutcanbebiasedat2Vforlow-voltagebatteryoperatedsystems.Thedevice	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
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SGA8343ZSR	文件：790.7 Kbytes Page：12 Pages	HeterostructureBipolarTransistor	QORVOQorvo, Inc Qorvo	QORVO
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T8343A	文件：24.38 Kbytes Page：1 Pages	TerminatorDie	MOLEX11Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX11

产品属性

产品编号：
MPC8343CVRADDB
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
集成电路（IC） > 微处理器
系列：
MPC83xx
包装：
托盘
核心处理器：
PowerPC e300
内核数/总线宽度：
1 核，32 位
速度：
266MHz
RAM 控制器：
DDR，DDR2
图形加速：
无
以太网：
10/100/1000Mbps（3）
USB：
USB 2.0 + PHY（2）
电压 - I/O：
1.8V，2.5V，3.3V
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
封装/外壳：
620-BBGA 裸露焊盘
供应商器件封装：
620-HBGA（29x29）
描述：
IC MPU MPC83XX 266MHZ 620BGA

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