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256	文件：1.11117 Mbytes Page：3 Pages	MAGNETIC-LATCHINGDPDTHALF-SIZECRYSTALCANMILITARYRELAY	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
256	文件：564.56 Kbytes Page：5 Pages	3M??Scotch짰PrintableFlatbackPaperTape256	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
256	文件：653.84 Kbytes Page：2 Pages	PGAZIFTest&Burn-inSocketforAnyFootprintonStd8x8to21x21Grid FEATURES •StrongMetalCamActivatesNormally-closedContacts,PreventingDependencyonPlasticfor ContactForce •HandlemountedonRight-orLeft-handSide •AnyFootprintAcceptedonStandard13x13to21x21Grid GENERALSPECIFICATIONS •SOCKETBODY:blackUL94V-0PolyphenyleneSulfid	ARIES Aries Electronics,inc	ARIES
256B	文件：343.53 Kbytes Page：21 Pages	256b/257bTranscodingfor100Gb/sBackplaneandCopperCable	IBM IBM Microelectronics	IBM
256FBGA	文件：1.05549 Mbytes Page：136 Pages	32-bitARM7TDMIRISCstaticCMOSCPUcore OVERVIEW TheHMS30C7202isahighlyintegratedlowpowermicroprocessorforpersonaldigitalassistants,andotherapplicationsdescribedbelow.ThedeviceincorporatesanARM720TCPUandsysteminterfacelogictointerfacewithvarioustypesofdevices.HMS30C7202isahighlymodulardesignbase	HynixHynix Semiconductor SK海力士海力士半导体	Hynix
256-FBGA	文件：1.05549 Mbytes Page：136 Pages	32-bitARM7TDMIRISCstaticCMOSCPUcore OVERVIEW TheHMS30C7202isahighlyintegratedlowpowermicroprocessorforpersonaldigitalassistants,andotherapplicationsdescribedbelow.ThedeviceincorporatesanARM720TCPUandsysteminterfacelogictointerfacewithvarioustypesofdevices.HMS30C7202isahighlymodulardesignbase	HynixHynix Semiconductor SK海力士海力士半导体	Hynix
256LBGA	文件：84.43 Kbytes Page：1 Pages	256LBGA/LBGNPACKAGEOUTLINE	SMSC SMSC	SMSC
256MBDDRSDRAM	文件：658.68 Kbytes Page：51 Pages	DDRSDRAMSpecificationVersion0.3 KeyFeatures Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
256PMG-SI	文件：117.54 Kbytes Page：6 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
256PMG-SI	文件：115.18 Kbytes Page：6 Pages	AluminumElectrolyticCapacitorsPowerMiniaturizedGeneralPurpose-Snap-In FEATURES •Usefullife:2000hat+105°C,>5000hat+85°C •Voltagerangefrom16Vto100V •Polarizedaluminumelectrolyticcapacitors, non-solidelectrolyte •Pressurereliefonthetopofthealuminumcase •PETinsulationsleeve •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
256X	文件：72.11 Kbytes Page：1 Pages	WILMAR??ProtectiveRelays-250Series,Over/Undervoltage	MACOM Tyco Electronics	MACOM
AIMB-256	文件：1.41201 Mbytes Page：3 Pages	Intel짰Core??2DuoMini-ITXwithVGA/DVI/LVDS,4COMandDualLAN	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
AM256	文件：151.1 Kbytes Page：2 Pages	PRESSFITAUTOMOTIVERECTIFIER	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
AN256	文件：210.48 Kbytes Page：8 Pages	INTEGRATEDPHASENOISE	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
AN256	文件：395.78 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowVoltageDropLED	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AOB256L	文件：292.83 Kbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOB256LusestrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdeviceisideal	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB256L	文件：297.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD256	文件：1.00195 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD256	文件：307.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD256	文件：308.53 Kbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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详细参数

型号：
MOC256M
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 SO-8 AC INPUT TRANS
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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