MOC119M中文资料PDF规格书
MOC119M规格书详情
Description
The MOC119M device has a gallium arsenide infrared emitting diode coupled to a silicon darlington phototransistor.
Features
■ High current transfer ratio of 300
■ No base connection for improved noise immunity
■ Underwriters Laboratory (UL) recognized File #E90700
■ IEC 60747-5-2 approval available as a test option
– add option ‘V’ (e.g., MOC119VM)
Applications
■ Appliances, measuring instruments
■ I/O interface for computers
■ Programmable controllers
■ Portable electronics
■ Interfacing and coupling systems of different potentials and impedance
■ Solid state relays
产品属性
- 型号：
MOC119M
- 功能描述：
晶体管输出光电耦合器 PHOTODARLINGTON OUT
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 输入类型：
DC
- 最大集电极/发射极电压：
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
- 绝缘电压：
5300 Vrms
- 电流传递比：
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压：
1.65 V
- 最大输入二极管电流：
60 mA
- 最大集电极电流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 110 C
- 最小工作温度：
- 55 C
- 封装/箱体：
DIP-4
- 封装：
Bulk
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