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MMUN2214中文资料PDF规格书

MMUN2214
厂商型号

MMUN2214

参数属性

MMUN2214 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

功能描述

SOT-23 Plastic-Encapsulate Bias Resistor Transistor

文件大小

2.45656 Mbytes

页面数量

11

生产厂商 Jiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd
企业简称

HDSEMI苏海德半导体

中文名称

苏海德半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 11:25:00

晶体管资料

  • 型号:

    MMUN2214

  • 别名:

    MMUN2214三极管、MMUN2214晶体管、MMUN2214晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    UN2214,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

    β>80

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    .1

  • wtest:

    .4

MMUN2214规格书详情

SOT-23 Plastic-Encapsulate Bias Resistor Transistor

NP N Silicon

产品属性

  • 产品编号:

    MMUN2214LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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