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MMUN2133LT1	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2133LT1	文件：267.26 Kbytes Page：10 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMUN2133LT1	文件：188.18 Kbytes Page：12 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2133LT1G	文件：146.17 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2133LT1G	文件：150.31 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 kA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2133LT1G	文件：183.55 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2133LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMUN2133LT1	文件：233.62 Kbytes Page：8 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2133LT1G	文件：655.27 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2133LT1G	文件：169.73 Kbytes Page：9 Pages	BiasResistorTransistor	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2133LT1G	文件：644.3 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NSVMMUN2133LT1G	文件：183.55 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMUN2133LT1G	文件：150.31 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47kA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMUN2133LT1
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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