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MMUN2115中文资料PDF规格书

MMUN2115
厂商型号

MMUN2115

参数属性

MMUN2115 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

功能描述

Bias Resistor Transistor PNP Silicon

文件大小

138.18 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 WEITRON
企业简称

WEITRON威堂電子科技

中文名称

威堂電子科技官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-6 20:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    MMUN2115

  • 别名:

    MMUN2115三极管、MMUN2115晶体管、MMUN2115晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    UN2115,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍数:

    β>160

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    .1

  • wtest:

    .4

MMUN2115规格书详情

Bias Resistor Transistor

PNP Silicon

P/b Lead(Pb)-Free

产品属性

  • 产品编号:

    MMUN2115LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

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