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MMUN2112	文件：266.93 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistor PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkcons	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2112	文件：138.18 Kbytes Page：6 Pages	Bias Resistor Transistor PNP Silicon BiasResistorTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MMUN2112LT1	文件：267.26 Kbytes Page：10 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMUN2112LT1	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2112LT1G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 kOhm, R2 = 22 kOhm PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;a	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2112LT3	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2112RLT1	文件：266.93 Kbytes Page：7 Pages	Bias Resistor Transistor PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkcons	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2112L	文件：182.71 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2112L	文件：146.04 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2112LT1	文件：100.37 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2112LT1	文件：188.18 Kbytes Page：12 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2112LT1G	文件：146.04 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2112LT1G	文件：182.71 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2112LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2112LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2112	文件：65.12 Kbytes Page：1 Pages	T-1SubminiatureLamps T-1¾WireLead T-1¾MiniatureFlanged T-1¾MiniatureGrooved T-1¾MidgetScrew T-1¾Bi-Pin	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
2112	文件：85.28 Kbytes Page：4 Pages	PhotoelectronicSmokeDetectors	SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas. Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
2112	文件：31.08 Kbytes Page：1 Pages	Adapter-BindingPostsToPJ051PhonePlug	POMONA Pomona Electronics	POMONA
2112A	文件：256.88 Kbytes Page：3 Pages	Fieldbus,8Pr#16StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
2112-RC	文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns

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晶体管资料

型号：
MMUN2112
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
UN2112,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>60
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
.1
wtest：
.4

详细参数

型号：
MMUN2112
制造商：
LRC
制造商全称：
Leshan Radio Company
功能描述：
Bias Resistor Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市永贝尔科技有限公司	MMUN2112	LRC	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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