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BZX5551	文件：326.76 Kbytes Page：3 Pages	Siliconplanarzenerdiodes	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BZX5551	文件：146.16 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Features SiliconPlanarZenerDiodes TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternational E24standard.OthervoltagetolerancesandhigherZener voltagesonrequest.	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
C5551	文件：43.33 Kbytes Page：5 Pages	High-FrequencyMedium-OutputAmplifierApplications High-FrequencyMedium-OutputAmplifierApplications Features •HighfT:(fT=3.5GHztyp). •Largecurrent:(IC=300mA). •Largeallowablecollectordissipation(1.3Wmax).	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CC5551	文件：50.78 Kbytes Page：4 Pages	NPNCOMPLEMENTARYSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR HighVoltageNPNTransistorforGeneralPurposeandTelephonyApplications	CDIL CDIL	CDIL
CHT5551PT	文件：136.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTransistor VOLTAGE160VoltsCURRENT0.6Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SOT-23) Suitableforhighpackingdensity. APPLICATION Telephonyandproferssionalcommunctionequipment. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHT5551SPT	文件：146.21 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTransistor VOLTAGE160VoltsCURRENT0.2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-88/SOT-363) Suitableforhighpackingdensity. APPLICATION Telephonyandproferssionalcommunctionequipment. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHT5551WPT	文件：97.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTransistor VOLTAGE50VoltsCURRENT100mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-723) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. InternalisolatedPNPtransistorsinonepackage. *Builtinbiasres	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHT5551ZPT	文件：144.17 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTransistor VOLTAGE160VoltsCURRENT0.6Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-73/SOT-223) Suitableforhighpackingdensity. APPLICATION Telephonyandproferssionalcommunctionequipment. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CMBT5551	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
CMBT5551	文件：66.25 Kbytes Page：3 Pages	SILICONNPNHIGH-VOLTAGETRANSISTOR SILICONN–P–NHIGH–VOLTAGETRANSISTOR N–P–Ntransistor SOT-23FormedSMDPackage	CDIL CDIL	CDIL
CMLT5551	文件：90.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPICOminiDUALNPNSMALLSIGNALSILICONSWITCHINGTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT5551consistsoftwoindividual,isolatedNPNsilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocessandepoxymoldedinanSOT-563sufacemountpackage.Thisdevicehasbeendesignedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:5C5	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT5551HC	文件：88.85 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPICOminiHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT5551HCisahighcurrentNPNsilicontransistor,manufacturedbytheepitaxialplanarprocessandepoxymoldedinanSOT-563sufacemountpackage.Thisdevicehasbeendesignedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications. MARKINGCODE:C51	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5551	文件：78.75 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:1FF	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5551E	文件：119.13 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-23case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltageandsmallspacesavingpackaging. MARKINGCODE:C555 FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5551HC	文件：111.91 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551HCtypeisahighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications. MARKINGCODE:1FHC	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5551	文件：119.63 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:55C	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5551E	文件：144 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-523case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltageandsmallspacesavingpackaging. MARKINGCODE:5C1 FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CTLT5551	文件：413.04 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSENPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：285.83 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony •Lowcurrent(max.600mA) •Highvoltage(max.180v)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
CXT5551	文件：193.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Switchingandamplificationinhighvoltage. ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180V) APPLICATIONS ●Highvoltageamplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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产品属性

产品编号：
MMST5551-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 160V 0.2A SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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