MMRF1312H分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMRF1312H |
| 参数属性 | MMRF1312H 封装/外壳为NI-1230-4S；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistors |
| 文件大小 |
428.42 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-23 22:56:00 |
MMRF1312H规格书详情
MMRF1312H属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的MMRF1312H晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
MMRF1312HSR5
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
1.034GHz
- 增益：
19.6dB
- 功率 - 输出：
1000W
- 封装/外壳：
NI-1230-4S
- 供应商器件封装：
NI-1230-4S
- 描述：
TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
21+ |
NA |
250 |
原装热卖可订货 |
询价 | ||
NXP |
21+ |
NI12304S |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
NXP |
22+ |
NI12304S |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
NXP |
23+ |
NI12304S |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
NXP Semiconductors |
22+ |
N-Channel |
2864 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
询价 | ||
NXP |
23+ |
NI-1230-4S |
957 |
确保原装正品,一站式配单-认准水星电子。 |
询价 | ||
AMPLEON |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
24+ |
SOT-979A |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
2022+ |
NI-1230-4S |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
NXPUSAInc. |
2019+ |
NI-1230-4H |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
询价 |
