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MML60R190P	文件：1.21747 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.19ohm N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MML60R190PTH	文件：1.21747 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.19ohm N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
60R190D	文件：498.44 Kbytes Page：16 Pages	600VCoolGaN™enhancement-modePowerTransistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
60R190P	文件：1.31882 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
BRF60R190	文件：1.394 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
IPAW60R190CE	文件：1.029839 Mbytes Page：14 Pages	600VCoolMOS짧CEPowerTransistor 600VCoolMOSªCEPowerTransistor Applications PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
MMF60R190P	文件：1.30176 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MMF60R190PTH	文件：322.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF60R190Q	文件：1.44307 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R190QTH	文件：1.44307 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R190QTH	文件：323.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MMQ60R190PTH	文件：373.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多MML60R190P供应商更新时间2024-5-21 14:30:00

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