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MMBZ27VALT3G电路保护TVS-二极管规格书PDF中文资料

MMBZ27VALT3G
厂商型号

MMBZ27VALT3G

参数属性

MMBZ27VALT3G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护 > TVS - 二极管;MMBZ27VALT3G应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3

功能描述

24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3

文件大小

70.23 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-7 20:58:00

MMBZ27VALT3G规格书详情

MMBZ27VALT3G属于电路保护 > TVS - 二极管。安森美半导体公司制造生产的MMBZ27VALT3GTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

产品属性

  • 产品编号:

    MMBZ27VALT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    22V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    25.65V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    40V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    40W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3

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