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MMBTH10RG中文资料PDF规格书

MMBTH10RG
厂商型号

MMBTH10RG

参数属性

MMBTH10RG 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3

功能描述

NPN RF Transistor

文件大小

45.7 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 19:19:00

MMBTH10RG规格书详情

NPN RF Transistor

• This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 µA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators.

• Sourced from process 42.

产品属性

  • 产品编号:

    MMBTH10RG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    40V

  • 频率 - 跃迁:

    450MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 1mA,6V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild
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