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MMBT5550中文资料PDF规格书

MMBT5550
厂商型号

MMBT5550

参数属性

MMBT5550 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

功能描述

High Voltage Transistors

文件大小

43.56 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD
企业简称

KEXIN科信电子

中文名称

广东科信实业有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 22:58:00

晶体管资料

  • 型号:

    MMBT5550

  • 别名:

    MMBT5550三极管、MMBT5550晶体管、MMBT5550晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_宽频带放大 (A)

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    160V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

    3DK104F,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    160

  • htest:

    999900

  • atest:

    .6

  • wtest:

    .3

MMBT5550规格书详情

Features

● NPN Silicon

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT5550

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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