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MMBD301LT1G分立半导体产品二极管-射频规格书PDF中文资料

MMBD301LT1G
厂商型号

MMBD301LT1G

参数属性

MMBD301LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3

功能描述

Silicon Hot-Carrier Diodes
DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3

文件大小

135.98 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 22:58:00

MMBD301LT1G规格书详情

These devices are designed primarily for high−efficiency UHF and VHF detector applications. They are readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications. They are supplied in an inexpensive plastic package for low−cost, high−volume consumer and industrial/commercial requirements. They are also available in a Surface Mount package.

Features

• Extremely Low Minority Carrier Lifetime − 15 ps (Typ)

• Very Low Capacitance − 1.5 pF (Max) @ VR = 15 V

• Low Reverse Leakage − IR = 13 nAdc (Typ) MBD301, MMBD301

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

MMBD301LT1G属于分立半导体产品 > 二极管 - 射频。安森美半导体公司制造生产的MMBD301LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

产品属性

  • 产品编号:

    MMBD301LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基 - 单

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    30V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1.5pF @ 15V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2016+
SOT23
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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ON
2020+
SOT-23
8000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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ON
17+
SOT23
9700
绝对原装正品现货假一罚十
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23+
SOT-23
20000
原厂原装正品现货
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ON/安森美
22+
SOT-23(SOT-23-3)
6000
只做原装,假一赔十
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一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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ON/安森美
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NA
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