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MJW21193G	文件：74.05 Kbytes Page：8 Pages	16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJW21193G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 250V 16A TO247-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJ21193	文件：173.47 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS SiliconPowerTransistors TheMJ21193(PNP)andMJ21194(NPN)utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. Features •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain−hFE=25Mi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJ21193	文件：112.61 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •ComplementtotypeMJ21194 •Excellentgainlinearity APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ21193	文件：216.75 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •TotalHarmonicDistortionCharacterized •HighDCCurrentGain •HighAreaofSafeOperation APPLICATIONS •Designedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MJ21193G	文件：570.87 Kbytes Page：5 Pages	250WattSiliconTypeMetalPackagePowerTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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产品属性

产品编号：
MJW21193G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 3.2A，16A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 8A，5V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
TRANS PNP 250V 16A TO247-3

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更多MJW21193G供应商更新时间2024-6-2 8:28:00

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