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MJF18004G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJF18004G
厂商型号

MJF18004G

参数属性

MJF18004G 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 450V 5A TO220FP

功能描述

NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications
TRANS NPN 450V 5A TO220FP

文件大小

230.81 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-27 23:00:00

MJF18004G规格书详情

SWITCHMODE

NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications

The MJE/MJF18004G have an applications specific state−of−the−art die designed for use in 220 V line−operated SWITCHMODE Power supplies and electronic light ballasts.

Features

● Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:

♦ High and Flat DC Current Gain hFE

♦ Fast Switching

♦ No Coil Required in Base Circuit for Turn−Off (No Current Tail)

● Full Characterization at 125C

● ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and

Reproducible Parametric Distributions

● Two Package Choices: Standard TO−220 or Isolated TO−220

● MJF18004, Case 221D, is UL Recognized at 3500 VRMS: File

#E69369

● These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

MJF18004G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的MJF18004G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    MJF18004G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    SWITCHMODE™

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    750mV @ 500mA,2.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    14 @ 300mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    13MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FP

  • 描述:

    TRANS NPN 450V 5A TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
23+
TO-220F
942
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ON/安森美
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