| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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MJE6044 | POWER DERATING COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | NJSEMI | |
JunctionBoxes | PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团 | PENTAIR | ||
Lift-Off-Cover,Type12 | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | etc2 | ||
ScrewCover,Type12 | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | etc2 | ||
INTELLIGENTPOWERHIGHSIDESWITCH | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | ||
INTELLIGENTPOWERHIGHSIDESWI Description TheAUIPS6044GisquadoutputIntelligentPowerSwitch(IPS)foruseinahighsideconfiguration.Itfeaturesshortcircuit,over-temperature,ESDprotection,inductiveloadcapabilityanddiagnosticfeedback.TheoutputcurrentislimitedtotheIlimvalue.Thecurrentlimitationis | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
SiliconMonolithicIntegratedCircuit | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
15SP227/30TCPEPVCComputerCable | GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司 | GENERAL | ||
OPERATIONINSTRUCTION | COREBAICoreBai Microelectronics 芯佰芯佰微电子(北京)有限公司 | COREBAI | ||
Automatedprobemanufacturingenableslowcostandshortleadtime | IRONWOODIronwood Electronics. Lronwood电子公司 | IRONWOOD | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,110A,RDS(ON)=5.0mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.2mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,85A,RDS(ON)=5.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.5mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,110A,RDS(ON)=5.0mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.2mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,85A,RDS(ON)=5.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.5mW@VGS=4.5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | CET-MOS | ||
INTELLIGENTPOWERHIGHSIDESWITCH | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | IRF | ||
CMOSQuadMicropowerOperationalAmplifier | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
CMOSQuadMicropowerOperationalAmplifier | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | TI1 | ||
LMC6044CMOSQuadMicropowerOperationalAmplifier | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | TI1 | ||
CMOSQuadMicropowerOperationalAmplifier | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | TI1 | ||
CMOSQuadMicropowerOperationalAmplifier | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl
- 性质：
功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD647,BD699,FH7C,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
75
详细参数
- 型号：
MJE6044
- 制造商：
NJSEMI
- 制造商全称：
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
- 功能描述：
POWER DERATING
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
N/A |
5000 |
公司存货 |
询价 | |||
MOT |
06+ |
原厂原装 |
2509 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
23+ |
2800 |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO220 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-TO-220F |
37650 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220F |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
TO-220F |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
ON/安森美 |
TO-TO-220F |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220F |
98118 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
询价 |
