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MJE3439分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJE3439
厂商型号

MJE3439

参数属性

MJE3439 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 350V 0.3A TO126

功能描述

NPN Silicon High?뭋oltage Power Transistor
TRANS NPN 350V 0.3A TO126

文件大小

60.35 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 9:08:00

晶体管资料

  • 型号:

    MJE3439

  • 别名:

    MJE3439三极管、MJE3439晶体管、MJE3439晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_视频输出 (Vid)_功率放大

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    350V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD410,2N5657,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    350

  • htest:

    999900

  • atest:

    .3

  • wtest:

    15

MJE3439规格书详情

NPN Silicon High−Voltage Power Transistor

This device is designed for use in line−operated equipment requiring high fT.

Features

• High DC Current Gain − hFE = 40−160 @ IC

= 20 mAdc

• Current Gain Bandwidth Product − fT = 15 MHz (Min) @ IC

= 10 mAdc

• Low Output Capacitance − Cob = 10 pF (Max) @ f

= 1.0 MHz

• Pb−Free Package is Available*

MJE3439属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的MJE3439晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    MJE3439G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 4mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 20mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    15MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 350V 0.3A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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