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MJE200G	文件：170.29 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Power Plastic Transistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain •LowCollector−EmitterSaturationVoltage •HighCurrent−Gain−BandwidthProduct •AnnularConstructionforLowLeakage •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200G	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Power Plastic Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 5A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
200	文件：3.83844 Mbytes Page：2 Pages	100/200	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
200	文件：105.62 Kbytes Page：4 Pages	BulkMetal®FoilTechnologyConformallyCoatedPrecisionCurrentSensingResistorswithTCRof5ppm/°Candvaluesdownto5mΩ	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
200	文件：718.4 Kbytes Page：5 Pages	TOGGLESWITCHES-SUBMINIATURE	E-SWITCH E-Switch, Inc.	E-SWITCH
200	文件：1.18408 Mbytes Page：2 Pages	EasyIdentificationandTracingwith10-colorCable	ARIES Aries Electronics,inc	ARIES
200	文件：225.28 Kbytes Page：2 Pages	Resistanttotearsandpunctures	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
200	文件：286.71 Kbytes Page：3 Pages	Thru-BoltsandMountingBrackets	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
200	文件：783.89 Kbytes Page：2 Pages	3M??FireDam??Spray200	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
200	文件：194.45 Kbytes Page：2 Pages	M12-AFemale4PinFieldAttachable	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
200	文件：115.71 Kbytes Page：2 Pages	RUGGEDandLIGHTWEIGHTALUMINUMBATTERYHOLDERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
200	文件：110.74 Kbytes Page：2 Pages	1.3WattsAxialLeadedZenerDiodes VOLTAGERANGE:2.4-200VPOWER:1.3Watts Features ●CompleteVoltageRange2.4to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
200	文件：498.06 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltage(Plate)&Filament-32VAto454VA Features Primary115VAC,60Hz.-exceptasnoted Foruniversalprimariesand/or50/60Hz.operationandotheroutputvoltagecombinationspleaseseeour300Series Enclosed,4hole,chassismount. Minimum6longleads. UnitscanberunfullwavebridgeorfullwaveC.T. ClassAinsulation(	HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd.	HAMMOND
200	文件：63.77 Kbytes Page：6 Pages	MiniatureSolenoidValve Applications •Neutralgasesandliquids •Pneumaticcontrol •Vacuum •Shut-off,dosing,filling, ventilating •Small-scaleinstrument, laboratoryandmeasurment technology •Gascontrol,welding technology	BURKERTChristian Bürkert GmbH & Co. KG 宝帝流体控制系统宝帝流体控制系统（上海）有限公司	BURKERT
200A	文件：189.67 Kbytes Page：2 Pages	8.0x3.8mmWatchcrystal	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
200A	文件：414.9 Kbytes Page：4 Pages	TOGGLESWITCHES-SUB-MINIATURE	E-SWITCH E-Switch, Inc.	E-SWITCH
200ACP	文件：902.35 Kbytes Page：3 Pages	200W-SingleOutputAC-DCConverter-UniversalInput-Isolated&Regulated	GAPTECGAPTEC Electronic GAPTECGAPTEC Electronic	GAPTEC
200ACP	文件：1.07623 Mbytes Page：3 Pages	200W-SingleOutputAC-DCConverter-UniversalInput-Isolated&Regulated	GAPTECGAPTEC Electronic GAPTECGAPTEC Electronic	GAPTEC
200ACP_SC	文件：1.07623 Mbytes Page：3 Pages	200W-SingleOutputAC-DCConverter-UniversalInput-Isolated&Regulated	GAPTECGAPTEC Electronic GAPTECGAPTEC Electronic	GAPTEC

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产品属性

产品编号：
MJE200G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
45 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
65MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 40V 5A TO126

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更多MJE200G供应商更新时间2024-4-30 18:26:00

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