| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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SOP |
30325 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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DIP |
322 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-251/TO-252 |
51000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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ON(安森美)原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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ON/安森美TO-252 |
20000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ONTO-252-2 |
14398 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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ONTO-252 |
20000 |
21+ |
只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONDPAK-3 |
15000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
10048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-252 |
12800 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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ONTO252 |
10000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
96825 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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ONTO-252 |
6800 |
22+ |
全新原装公司现货假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
14316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-252 |
10053 |
2105+ |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ONSEMITO-252 |
2863 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-252 |
20000 |
24+ |
只做原装欢迎含税交易,假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
1800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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MJD44H11G价格
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MJD44H11 进口原装现货，假一罚百！
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更多MJD44E3制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS
MJD44E3-1制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
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MJD44E3T4G功能描述:达林顿晶体管 10A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MJD44H11功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS
MJD44H11_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD44H11_09制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power transistors
MJD44H11_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD44H11-001功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
