首页>MJD243T4>规格书详情

MJD243T4中文资料PDF规格书

MJD243T4
厂商型号

MJD243T4

参数属性

MJD243T4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK

功能描述

NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS

文件大小

209.75 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

Motorola

中文名称

摩托罗拉官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-6-18 18:27:00

MJD243T4规格书详情

. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.

• Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

• High DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 200 mAdc

= 15 (Min) @ IC = 1.0 Adc

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)

• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc

= 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Adc

• High Current–Gain — Bandwidth Product — fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

• Annular Construction for Low Leakage — ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB

产品属性

  • 产品编号:

    MJD243T4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 50mA,500mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 200mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    40MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
22+
TO-252
96160
询价
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
ON
23+
TO-252
37650
全新原装真实库存含13点增值税票!
询价
ONS
2020+
DPAK
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
询价
ON(安森美)
23+
NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON/安森美
21+
DPAK
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
ON(安森美)
标准封装
8000
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
询价
ON/安森美
23+
NA/
7404
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
ON
23+
SOT
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
询价
ON/安森美
2024+实力库存
12000
只做原厂渠道 可追溯货源
询价