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MJD112T4 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ST/意法半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
MJD112T4
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
剪切带(CT)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2V @ 8mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 2A,3V
- 频率 - 跃迁:
25MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK
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