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MJB44H11G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：296.78 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Pb-freepackageareavailable ·Fastswitchingspeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Generalpurposeamplificationandswitchingsuchas outordriverstagesinapplicati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJB44H11G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 10A D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
C44H11	文件：108.31 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
CJD44H11	文件：460.22 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICON DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCJD44H11,CJD45H11typesareComplementarySiliconPowerTransistorsmanufacturedinasurfacemountpackagedesignedforswitchingandpoweramplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CJD44H11	文件：425.42 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CJF44H11	文件：213.89 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
CJF44H11	文件：223.68 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
CJF44H11NPN	文件：223.68 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
D44H11	文件：188.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A •FastSwitchingSpeeds •ComplementtoTypeD45H11 •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposepoweramplificationands	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
D44H11	文件：120.75 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
D44H11	文件：247.44 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
D44H11	文件：119.08 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •Fastswitchingspeeds •Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS •Forgeneralpurposepoweramplificationandswitchingregulators,convertersandpoweramplifiersapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
D44H11	文件：103.1 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ComplementarySiliconPowerTransistors Theseseriesofplastic,siliconNPNandPNPpowertransistorscanbeusedasgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
D44H11	文件：62.43 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinlowvoltagemultiepitaxialplanartechnology.Theyareintendedforgeneralpurposelinearandswitchingapplications. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Fastswitchingspeed Applications ■Poweramplifier ■S	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
D44H11	文件：157.08 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,30-80V,50W) 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS30-80VOLTS50WATTS	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
D44H11	文件：188.4 Kbytes Page：8 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
D44H11	文件：189.31 Kbytes Page：4 Pages	10AMPERESCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60,80VOLTS	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON

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产品属性

产品编号：
MJB44H11G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
TRANS NPN 80V 10A D2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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