MJ4035中文资料PDF规格书
![MJ4035](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
MJ4035 |
参数属性 | MJ4035 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 16A TO3 |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
文件大小 |
588.6 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Central Semiconductor Corp |
企业简称 |
Central |
中文名称 | 美国中央半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-15 20:00:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
MJ4035三极管、MJ4035晶体管、MJ4035晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-P+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
16A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
BDV67A...D,BDW83C...D,BDX67B...C,FH9D,2N6284,
- 最大耗散功率:
150W
- 放大倍数:
β>1000
- 图片代号:
E-44
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
16
- wtest:
150
MJ4035规格书详情
Power Transistors
TO-3 Case (Continued)
产品属性
- 产品编号:
MJ4035
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
4V @ 80mA,16A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
3mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 10A,3V
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
TO-204AA,TO-3
- 供应商器件封装:
TO-3
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 16A TO3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
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