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MJ15012	文件：61.77 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors MJ15011(NPN, MJ15012(PNP) 10AMPERECOMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS250VOLTS200WATTS TheMJ15011andMJ15012arePowerBasepowertransistorsdesignedforhigh−poweraudio,diskheadpositioners,andotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircui	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ15012	文件：78.59 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ15012	文件：111.38 Kbytes Page：3 Pages	Complementary Silicon Power Transistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJ15012	文件：129.44 Kbytes Page：4 Pages	10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJ15012G	文件：61.77 Kbytes Page：4 Pages	Complementary Silicon Power Transistors MJ15011(NPN, MJ15012(PNP) 10AMPERECOMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS250VOLTS200WATTS TheMJ15011andMJ15012arePowerBasepowertransistorsdesignedforhigh−poweraudio,diskheadpositioners,andotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircui	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
15012	文件：175.39 Kbytes Page：1 Pages	STATFREECV280ROLLSANDMATS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
15012	文件：52.53 Kbytes Page：1 Pages	AUSTRALIANCORDSET,AS3112TOIEC60320C13	POWERDYNAMICS PowerDynamics, Inc	POWERDYNAMICS
ADJ15012	文件：142.7 Kbytes Page：9 Pages	1-pole/2-pole16ApolarizedpowerrelaysVarietyofcontactarrangements FEATURES 1.Varietyofcontactarrangements Widelineupof1FormC,1FormA,1FormB,2FormC,2FormA,2FormB,1FormA1FormB. 2.Latchingoperation Latchingviaapolarizedmagneticcircuitstructureallowsremoteoperationandlowerenergyconsumption 3.Compactwithhighc	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AEP15012	文件：230.97 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEANDCURRENTCUT-OFFCAPACITYINACOMPACTPACKAGE FEATURES •Controloflargevoltagesandcurrents Therelayshaveasealedconstructionthatisfilledwithahydrogengascompound,anduseapermanentmagnettoestablishamagneticpathforthearc. Thisallowsthemtoswitchhigh-levelDCvoltagesofupto400VDC. •Compactsizea	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
EH15012Q	文件：82.31 Kbytes Page：2 Pages	3PHASEBRIDGEMODULES 3PhaseBridgeModules •MaximumSurgeCurrent1600Amps •HighTerminal-to-bassIsolationof2500VACRMS •Availableto1400Volts •MountingBoltsIsolationFromPowerTerminals	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
EH15012Y	文件：82.31 Kbytes Page：2 Pages	3PHASEBRIDGEMODULES 3PhaseBridgeModules •MaximumSurgeCurrent1600Amps •HighTerminal-to-bassIsolationof2500VACRMS •Availableto1400Volts •MountingBoltsIsolationFromPowerTerminals	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FYS-15012A/BX-XX	文件：330 Kbytes Page：4 Pages	LEDDIGITDISPLAY	FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd. 复洋宁波复洋光电有限公司	FORYARD
FYS-15012AX	文件：330 Kbytes Page：4 Pages	LEDDIGITDISPLAY	FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd. 复洋宁波复洋光电有限公司	FORYARD
FYS-15012AX	文件：335.49 Kbytes Page：5 Pages	LEDDIGITDISPLAY	FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd. 复洋宁波复洋光电有限公司	FORYARD
FYS-15012BX	文件：335.49 Kbytes Page：5 Pages	LEDDIGITDISPLAY	FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd. 复洋宁波复洋光电有限公司	FORYARD
FYS-15012BX	文件：330 Kbytes Page：4 Pages	LEDDIGITDISPLAY	FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd. 复洋宁波复洋光电有限公司	FORYARD
GC15012	文件：390.65 Kbytes Page：4 Pages	TUNINGDIODESFrequencyLinearTuningVaractorsTM DESCRIPTION AFrequencyLinearTuningVaractor(FLTVAR™)isasiliconepitaxialmesadevice,designedtoprovidewidebandLinearTuninginVCOandfilterapplications. Thesediodesfeaturesuperiorpassivationforhighreliability,lowleakagecurrent,andlowsurfacenoise.TheyofferQvalues	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
HFCD15012PS	文件：228.46 Kbytes Page：1 Pages	IndoorDistributionCablePlenum	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
HFCD15012RS	文件：228.45 Kbytes Page：1 Pages	IndoorDistributionCableRiser	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
L-15012	文件：41.37 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountToroidalInductors	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

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详细参数

型号：
MJ15012
功能描述：
两极晶体管 - BJT 10A 250V 200W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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