MJ11030G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MJ11030G |
参数属性 | MJ11030G 封装/外壳为TO-204AE;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 90V 50A TO204 |
功能描述 | High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors |
文件大小 |
68.44 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-11 14:55:00 |
MJ11030G规格书详情
MJ11030G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的MJ11030G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
MJ11030G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3.5V @ 500mA,50A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 25A,5V
- 工作温度:
-55°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-204AE
- 供应商器件封装:
TO-204(TO-3)
- 描述:
TRANS NPN DARL 90V 50A TO204
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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