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PM5356	文件：63.07 Kbytes Page：4 Pages	622Mbit/sATMPhysicalLayerDevice DESCRIPTION ThePM5357S/UNI-622-MAXSATURNUserNetworkInterfaceisamonolithicintegratedcircuitthatimplementsSONET/SDHprocessing,ATMmappingoverSONET/SDHmappingfunctionsattheSTS-12c/STM-4-4c622.08Mbit/srate. FEATURES General •SinglechipATMoverSONET/SDHPhysicalLayer	PMC PMC-Sierra	PMC
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SI5356A	文件：1.32957 Mbytes Page：28 Pages	I2CPROGRAMMABLE,ANY-FREQUENCY1–200MHZ,QUADFREQUENCY8-OUTPUTCLOCKGENERATOR Features Generatesanyfrequencyfrom1to 200MHzoneachofthe4outputbanks Programmablefrequencyconfiguration Guaranteed0ppmfrequencysynthesis errorforanycombinationoffrequencies 25or27MHzxtalor5–200MHzinputclk EightCMOSclockoutputs Easy-to-useprog	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
SI5356B	文件：779.7 Kbytes Page：29 Pages	I2CPROGRAMMABLE,ANY-FREQUENCY1??00MHZ,QUADFREQUENCY8-OUTPUTCLOCKGENERATOR	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
SI5356-EVB	文件：1.37098 Mbytes Page：16 Pages	FullypoweredfromasingleUSBport	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
SiT5356	文件：1.526912 Mbytes Page：36 Pages	SiTime晶振SiT5356高精度温度振荡器规格书	YXCshenzhenyangxingkejiyouxiangongsi 扬兴深圳扬兴科技有限公司	YXC
SIT5356	文件：1.55409 Mbytes Page：36 Pages	1to60MHz,(-)0.1to(-)0.25ppmElitePlatformPrecisionSuper-TCXO	SITIMESiTime Corp. 赛特时脉美商赛特时脉股份有限公司	SITIME
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SMB5356B	文件：505.16 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features ●Lowleakagecurrent ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SMB5356B	文件：458.9 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTZENERTYPE SURFACEMOUNTZENERDIODES5.0WATTS FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipat ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating	PACELEADERPACELEADER 霈峯霈峯實業有限公司	PACELEADER
SMB5356B	文件：511.685 Kbytes Page：2 Pages	5W19VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE

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