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MGP11N60E	文件：123.51 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MGP11N60E	文件：120.21 Kbytes Page：5 Pages	SHORT CIRCUIT RATED LOW ON-VOLTAGE InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP11N60ED	文件：145.87 Kbytes Page：6 Pages	SHORT CIRCUIT RATED LOW ON-VOLTAGE InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
11N60	文件：1.85356 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
11N60CFD	文件：1.03276 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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11N60K-MT	文件：220.51 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELDEPLETION-MODEPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AOB11N60	文件：450.01 Kbytes Page：5 Pages	600V,11AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AOB11N60	文件：297.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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AOB11N60L	文件：1.10579 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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AOT11N60	文件：551.22 Kbytes Page：6 Pages	600V,11AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT11N60&AOTF11N60havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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详细参数

型号：
MGP11N60E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MGP11N60E供应商更新时间2024-6-6 16:31:00

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