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MGFS45V2325A中文资料PDF规格书
MGFS45V2325A规格书详情
DESCRIPTION
The MGFS45V2325A is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 2.3 - 2.5 GHz band amplifiers.The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.
FEATURES
Class A operation
Internally matched to 50(ohm) system
High output power
P1dB = 32W (TYP.) @ f=2.3 - 2.5 GHz
High power gain
GLP = 12 dB (TYP.) @ f=2.3 - 2.5GHz
High power added efficiency
P.A.E. = 45 (TYP.) @ f=2.3 - 2.5GHz
Low distortion [item -51]
IM3=-45dBc(TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L.
APPLICATION
item 01 : 2.3 - 2.5 GHz band power amplifier
item 51 : 2.3 - 2.5 GHz band digital radio communication
产品属性
- 型号：
MGFS45V2325A
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
2.3 - 2.5GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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