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MGFC39V6472A_04中文资料PDF规格书

MGFC39V6472A_04
厂商型号

MGFC39V6472A_04

功能描述

6.4 ~ 7.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

文件大小

184.04 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 MITSUBISHI electlic
企业简称

Mitsubishi三菱电机

中文名称

三菱电机官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-8 22:59:00

MGFC39V6472A_04规格书详情

DESCRIPTION

The MGFC39V6472A is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 6.4 ~ 7.2 GHz band amplifiers.The hermetically sealed metalceramic package guarantees high reliability.

FEATURES

Class A operation

Internally matched to 50(ohm) system

High output power

P1dB = 8W (TYP.) @ f=6.4~7.2GHz

High power gain

GLP = 9 dB (TYP.) @ f=6.4~7.2GHz

High power added efficiency

P.A.E. = 28 (TYP.) @ f=6.4~7.2GHz

Low distortion [ item -51 ]

IM3= -45 dBc(TYP.) @Po=28dBm S.C.L.

APPLICATION

item 01 : 6.4~7.2 GHz band power amplifier

item 51 : 6.4~7.2 GHz band digital radio communication

产品属性

  • 型号:

    MGFC39V6472A_04

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    6.4 ~ 7.2GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MIT
23+
NA/
3251
原装现货,当天可交货,原型号开票
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MITSUBISHI
2007+
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22+
SMD
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MITSUBISH
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MITSUBISH专营品牌原装正品假一罚十
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