选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
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GHZTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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MicrosemiN/A |
908 |
1942+ |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
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ST/ASI |
87 |
23+ |
现货供应 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMI55ST-1 |
7 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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Microsemi Corporation55ST-1 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMI55ST-1 |
7 |
1809+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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TECHSEMMODULE |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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STMODULE |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
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MICROSEMI/美高森美TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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MDS800图片
MDS800中文资料Alldatasheet PDF
更多MDS800制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MDS800 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
产品属性
- 产品编号:
MDS800
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
65V
- 频率 - 跃迁:
1.09GHz
- 增益:
8.6dB
- 功率 - 最大值:
1458W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 1A,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
60A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
55ST-1
- 供应商器件封装:
55ST-1
- 描述:
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1