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FCPF7N60	文件：413.52 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF7N60	文件：802.05 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET®MOSFETisFairchildSemiconductor’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowonresistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,pr	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MDF7N60TH	文件：745.05 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,7A,1.15(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF7N60TH	文件：322.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP7N60	文件：983.96 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,7A,1.15(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP7N60B	文件：1.2947 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET600V,7.0A,1.15(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP7N60BTH	文件：1.2947 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET600V,7.0A,1.15(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MDP7N60TH	文件：332.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MGP7N60E	文件：122.09 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MGP7N60E	文件：118.14 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP7N60ED	文件：144.18 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithrAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packaged withasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringboth	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MS7N60	文件：396.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MSF7N60	文件：774.32 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTN7N60BFP	文件：462.28 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN7N60FP	文件：344.8 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP7N60	文件：118.38 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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更多MDF7N60B供应商更新时间2024-6-1 16:36:00

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