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MDD1903RH	文件：331.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=105mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDD1903RH	文件：825.98 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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1903C	文件：93.21 Kbytes Page：2 Pages	THREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] THREADEDSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
1903C	文件：380.75 Kbytes Page：7 Pages	EvaluationBoardManualforNCN8025AQFN-24	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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AT-1903	文件：41.44 Kbytes Page：2 Pages	FixedAttenuators-2Wpower(SMAtype)	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
EG1903-ND	文件：659.56 Kbytes Page：8 Pages	H-BridgeMotorDriversForDCBrushMotors	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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ENA1903A	文件：493.5 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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更多MDD1903RH供应商更新时间2024-5-15 15:47:00

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