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MCP6042-ISN	文件：507.33 Kbytes Page：34 Pages	600 nA, Rail-to-Rail Input/Output Op Amps	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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6042	文件：40.48 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEPOLE,SINGLETHROWCONNECTORIZEDSWITCHES	MICRONETICSMicronetics, Inc. Micronetics, Inc.	MICRONETICS
6042B	文件：38.73 Kbytes Page：1 Pages	ExtraLargeAlligatorClipWith4mmSheathSafetyJack	POMONA Pomona Electronics	POMONA
6042C	文件：68.83 Kbytes Page：2 Pages	Component112X1PAIR	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
BD6042GUL	文件：194.32 Kbytes Page：5 Pages	SiliconMonolithicIntegratedCircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CBM6042	文件：1.45456 Mbytes Page：17 Pages	OPERATIONINSTRUCTION	COREBAICoreBai Microelectronics 芯佰芯佰微电子(北京)有限公司	COREBAI
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CED6042	文件：475.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,90A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP6042	文件：648.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6042	文件：427.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,118A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6042	文件：475.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,90A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6042	文件：1.21191 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=60V,ID=130A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CHA6042	文件：90.64 Kbytes Page：6 Pages	13-16GHzHighPowerAmplifier Description TheCHA6042isafour-stagepHEMTHPAMMICdesignedforVSATgroundterminalsandotherradioapplications.TheCHA6042provides32dBmnominaloutputpowerat1dBgaincompressionoverthe13-16GHzfrequencyrange,and32dBsmall-signalgain.Thisproductwillbeavailableinchipf	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
DMNH6042SPD	文件：562.56 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMNH6042SPDQ	文件：637.25 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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详细参数

型号：
MCP6042-ISN
制造商：
MICROCHIP
制造商全称：
Microchip Technology
功能描述：
600 nA, Rail-to-Rail Input/Output Op Amps

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市辰华鼎盛电子科技有限公司	MCP6042-ISN	MICROCHIP	22+	SOIC-8	54000	原装产品,信誉保证,长期供货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	MCP6042M/TR	HG/HX	21+	SOP8	50000	终端可免费提供样品,欢迎咨询	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	MCP6042M/TR	HG/HX	23+	NA/	100	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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