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6042	文件：40.48 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEPOLE,SINGLETHROWCONNECTORIZEDSWITCHES	MICRONETICSMicronetics, Inc. Micronetics, Inc.	MICRONETICS
6042B	文件：38.73 Kbytes Page：1 Pages	ExtraLargeAlligatorClipWith4mmSheathSafetyJack	POMONA Pomona Electronics	POMONA
6042C	文件：68.83 Kbytes Page：2 Pages	Component112X1PAIR	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
BD6042GUL	文件：194.32 Kbytes Page：5 Pages	SiliconMonolithicIntegratedCircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CBM6042	文件：1.45456 Mbytes Page：17 Pages	OPERATIONINSTRUCTION	COREBAICoreBai Microelectronics 芯佰芯佰微电子(北京)有限公司	COREBAI
CEB6042	文件：648.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB6042	文件：427.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,118A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED6042	文件：475.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,90A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP6042	文件：648.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6042	文件：427.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,118A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6042	文件：475.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,90A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6042	文件：1.21191 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=60V,ID=130A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CHA6042	文件：90.64 Kbytes Page：6 Pages	13-16GHzHighPowerAmplifier Description TheCHA6042isafour-stagepHEMTHPAMMICdesignedforVSATgroundterminalsandotherradioapplications.TheCHA6042provides32dBmnominaloutputpowerat1dBgaincompressionoverthe13-16GHzfrequencyrange,and32dBsmall-signalgain.Thisproductwillbeavailableinchipf	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
DMNH6042SPD	文件：562.56 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMNH6042SPDQ	文件：637.25 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMNH6042SPS	文件：543.87 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETPOWERDI	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMNH6042SPSQ	文件：542.45 Kbytes Page：7 Pages	60V175°CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETPOWERDI Features Ratedto+175°C–IdealforHighAmbientTemperature Environments 100UnclampedInductiveSwitching–EnsuresMoreReliable andRobustEndApplication LowRDS(ON)–MinimizesPowerLosses LowQg–MinimizesSwitchingLosses Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) Halogenan	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMNH6042SSD	文件：410.82 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNEL175CMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMNH6042SSDQ	文件：451.22 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
EN6042A	文件：81.08 Kbytes Page：9 Pages	Thick-FilmHybridICUnipolarFixed-CurrentChopper(Self-ExcitedPWM)SchemeandBuilt-inPhaseSignalDistributionICTwo-PhaseSteppingMotorDriver(SquareWaveDrive)OutputCurrent2.4A Overview TheSTK672-120-Eisaunipolarfixed-currentchoppertype2-phasesteppingmotordriverhybridIC.ItfeaturespowerMOSFETsintheoutputstageandabuilt-inphasesignaldistributionIC.TheincorporationofaphasedistributionICallowstheSTK672-120-Etocontrolthespeedofthe	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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详细参数

型号：
MCP6042-E/MS
功能描述：
运算放大器 - 运放 Single 1.6V 10KHz
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MCP6042-E/MS	Microchip Technology	24+	8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市星佑电子有限公司	MCP6042-E/MS	MICROCHIP/微芯	21+	MSOP8	6000	全新原装公司现货价格优	询价
深圳市英瑞芯科技有限公司	MCP6042-E/MS	MICROCHIP/微芯	22+	MSOP3x3	7800		询价
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更多MCP6042-E/MS供应商更新时间2024-5-29 10:11:00

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